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UT3N06L-AE3-R-VB 国产替代 型号

原型号
VBsemi(微碧半导体)UT3N06L-AE3-R-VB
导通电阻(RDS(on))86mΩ@4.5V漏源电压(Vdss)60V耗散功率(Pd)1.66W连续漏极电流(Id)4A