GOODWORK(固得沃克)中国

10N65F

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:650V 电流:10A适用于电源开关和信号控制

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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流10 A
导通电阻1.2 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流10 A
导通电阻1.2 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)10A
其他
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 5.7 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 953.3 KB · 2026-09-21
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