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12N10L-TN3-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道

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耐压100 V
连续漏极电流12 A
导通电阻180 mΩ

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技术参数

耐压100 V
连续漏极电流12 A
导通电阻180 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
其他
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd)30W

技术资料

数据手册数据手册 · 49.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 234.1 KB · 2026-09-21
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