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14N50L-TQ2-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,500V,14A

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沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流14 A
导通电阻500 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流14 A
导通电阻500 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)14A
其他
导通电阻(RDS(on))500mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 49.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 211.8 KB · 2026-09-21
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