HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）为0.6V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流（IR）为1000μA。器件可承受高达9A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护、开关电源输出级以及高频信号处理等电路，适合对效率和响应速度有一定要求的应用场合。