2N5010S

POWER BJT

问 AI FAE
类型NPN
集射极耐压500 V
集电极电流200 mA
放大倍数 hFE30

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技术参数

类型NPN
集射极耐压500 V
集电极电流200 mA最大
放大倍数 hFE3025mA
功率1 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)10nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)200 mA
Power - Max1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)500 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 25mA, 10V
Frequency - Transition-
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-65°C~200°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Supplier Device PackageTO-39 (TO-205AD)
其他
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.4V @ 5mA, 25mA

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技术资料

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