UTC(友顺)中国

2P50G-TN3-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
沟道P 沟道
耐压500 V
连续漏极电流2 A
导通电阻8.5 Ω

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压500 V
连续漏极电流2 A
导通电阻8.5 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)2A
其他
导通电阻(RDS(on))8.5Ω@10V,1A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 49.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 478.0 KB · 2026-09-21
进入资料中心