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技术参数
| 电源 | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 8A |
| VCEO-CE结击穿电压 | 100V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 100V |
| 交流 / 直流特性 | |
| fT-变换频率 | NMHZ |
| hFE-最小直流增益 | 4000 |
| Hfe-最小直流增益 | 4000 |
| 环境与封装 | |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 1.8W |
| Pd-最大功率耗散 | 1.8W |
技术资料
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| 电源 | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 8A |
| VCEO-CE结击穿电压 | 100V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 100V |
| 交流 / 直流特性 | |
| fT-变换频率 | NMHZ |
| hFE-最小直流增益 | 4000 |
| Hfe-最小直流增益 | 4000 |
| 环境与封装 | |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 1.8W |
| Pd-最大功率耗散 | 1.8W |
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