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技术参数

电源
Ic-最大集电极电流8A
IC-最大集电极电流8A
VCBO-CB结击穿电压120V
VCBO-集基级击穿电压120V
VCEO-CE结击穿电压120V
VCEO-集射级击穿电压120V
交流 / 直流特性
fT-变换频率20MHZ
hFE-最小直流增益50
Hfe-最小直流增益50
环境与封装
封装类型1TO-3PF
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散75W
Pd-最大功率耗散75W
VCE(sat)-CE结饱和压降0.5V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.5V
引脚数量13

技术资料

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