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技术参数

电源
IC-最大集电极电流15A
VCBO-集基级击穿电压200V
VCEO-集射级击穿电压200V
交流 / 直流特性
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益55
环境与封装
封装类型1TO3P
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散220W
VCE(sat)-集射级饱和压降3V
引脚数量13

器件图片

技术资料