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技术参数

电源
IC-最大集电极电流2A
VCBO-集基级击穿电压50V
VCEO-集射级击穿电压50V
VEBO-射基级击穿电压6V
交流 / 直流特性
fT-变换频率150MHZ
hFE-最小直流增益200
环境与封装
封装类型1SOT89
其他
Pd-功率耗散1.3W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.4V
引脚数量13

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技术资料