2SAR502EB

Rohm Semiconductor日本

2SAR502EB

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技术参数

电源
IC-最大集电极电流	0.5A
VCEO-集射级击穿电压	30V
交流 / 直流特性
fT-变换频率	NMHZ
hFE-最小直流增益	200
环境与封装
封装类型1	EMT
其他
Pd-功率耗散	0.15W
引脚数量1	3

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数据手册数据手册 · 1.4 MB · 2026-09-22

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