2SB1386-R

2SB1386-R

在产单个双极晶体管

-20V,-5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

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技术参数

电源
基极电流 IB (mA)-100
电流放大倍数 hFE max390
电流放大倍数 hFE min180
集电极-发射极击穿电压 VCEO (V)-20
集电极电流 IC (A)-5
交流 / 直流特性
特征频率 fT min (MHz)120(typ)
环境与封装
REACH 合规YES
RoHS 合规YES
封装 PackageSOT-89
其他
AEC-Q 车规认证NO
出口管制编码 ECCNEAR99
无卤 Halide-freeYES
无铅 Pb-freeYES
最低结温 Tj min (℃)-55
最大耗散功率 PD (mW)0.5
最高结温 Tj max (℃)150
极性 PolarityPNP
生命周期 Marketing StatusActive
饱和压降 VCE(sat) (V)-1

器件图片

技术资料