全部替代型号
查看完整报告技术参数
| 电源 | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 12A |
| VCEO-CE结击穿电压 | 200V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 200V |
| 交流 / 直流特性 | |
| fT-变换频率 | 30MHZ |
| hFE-最小直流增益 | 55 |
| Hfe-最小直流增益 | 55 |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO3P |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 其他 | |
| VCE(sat)-CE结饱和压降 | 2V |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 2V |
| 引脚数量1 | 3 |
| 电源 | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 12A |
| VCEO-CE结击穿电压 | 200V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 200V |
| 交流 / 直流特性 | |
| fT-变换频率 | 30MHZ |
| hFE-最小直流增益 | 55 |
| Hfe-最小直流增益 | 55 |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO3P |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 其他 | |
| VCE(sat)-CE结饱和压降 | 2V |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 2V |
| 引脚数量1 | 3 |