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3N80L-TN3-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压800 V
连续漏极电流3 A
导通电阻4.2 Ω

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技术参数

耐压800 V
连续漏极电流3 A
导通电阻4.2 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)3A
其他
导通电阻(RDS(on))4.2Ω@10V
耗散功率(Pd)50W

技术资料

数据手册数据手册 · 49.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 266.4 KB · 2026-09-21
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