JSMSEMI(杰盛微)中国

4800AGM-JSM

晶体管 - FET，MOSFET - 单

适用于一般开关和低压电源电路、电流能力强、导通电阻低。

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沟道N 沟道

耐压30 V

连续漏极电流12 A

导通电阻14 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道

耐压30 V

连续漏极电流12 A

导通电阻14 mΩ最大 · 4.5V

电源
漏源电压(Vdss)	30V
连续漏极电流(Id)	12A
其他
导通电阻(RDS(on))	14mΩ@4.5V,10A
数量	1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21

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