5N50L-TN3-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO252；N—Channel沟道,650V；5A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；
耐压650 V
连续漏极电流5 A
导通电阻950 mΩ
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耐压650 V
连续漏极电流5 A
导通电阻950 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 205W |