70N06L-TQ2-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。TO263；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流75 A
阈值电压3 V
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流75 A
阈值电压3 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 75A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |