APS美国

ACM035P120QNN

单 FET,MOSFET
查看国产替代问 AI FAE

全部替代型号

查看完整报告

已收录 50 个替代型号,其中国产替代 8 个,登录后查看。

技术参数

电源
ID-最大漏极电流69A
VDSS-最大漏源电压1200V
功耗系数N℃/W
最大漏源电流Id69A
漏源击穿电压Vdss1200V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗35mΩ
最大漏源导通阻抗Ron35mΩ
环境与封装
封装类型1TO247
其他
Pd-功率耗散300W
Qg-栅极电荷163nC
引脚数量14
最大耗散功率Pd300W
栅极电荷Qg163nC
栅源耐压Vgs+20V

技术资料

该型号暂未收录资料。