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AM143440WM-BM-R

专用放大器Ceramic package

AMP RF GAAS PHEMT 1.4-3.4GHZ 39DBM CERAMIC

AM143440WM-BM-R是GaAs pHEMT MMIC功率放大器,频率1.4-3.4GHz,P1dB典型38.5dBm,陶瓷封装,RoHS合规。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

19 项
参数值和测试条件出处
封装Ceramic package (BM)
工作温度Ta = 25°C (Typical Performance); Tsto = -55°C to +135°C (Storage)
RoHSCompliant
频率范围1.4 to 3.4GHz
小信号增益Min 18dB, Typ 20.5dB (Vdd=+12V, Vgs=-0.9V, Ta=25°C)
1dB压缩点输出功率Min 36.5dBm, Typ 38.5dBm (Vdd=+12V, Vgs=-0.9V, Ta=25°C)
饱和输出功率Typ 39.0dBm (Vdd=+12V, Vgs=-0.9V, Ta=25°C)
三阶交调截点Typ 44dBm (Vdd=+12V, Vgs=-0.9V, Ta=25°C)
效率Typ 35% (Vdd=+12V, Vgs=-0.9V, Ta=25°C)
输入回波损耗Min 15dB, Typ 20dB (Vdd=+12V, Vgs=-0.9V, Ta=25°C)
输出回波损耗Min 3dB, Typ 5dB (Vdd=+12V, Vgs=-0.9V, Ta=25°C)
热阻Typ 5°C/W
漏源电压Max 14V
栅源电压Max -3V
漏源电流Max 1.5A
连续耗散功率Max 25W
沟道温度Max 175°C
存储温度-55°C to +135°C
推荐工作电压10 to 14V
全部参数(9 项)展开收起
电源
Drain source voltage14V
交流 / 直流特性
Frequency1.4 to 3.4GHz
Small Signal Gain> 20dB
环境与封装
Channel temperature175°C
Continuous dissipation at room temperature25W
PackageCeramic
Storage temperature-55°C to +135°C
其他
Efficiency @ P1dB> 40%
P1dB39dBm

引脚与封装

PIN LAYOUT
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封装:Ceramic package (BM)
脚位名称功能出处
1Vdd1 电源输入
2NC空脚
3RFin 射频输入
4NC空脚
5Vgs1 栅极偏置1
6Vgs2 栅极偏置2
7RFout & Vdd2 射频输出及电源2
8RFout & Vdd2 射频输出及电源2
9RFout & Vdd2 射频输出及电源2
10Vgs2 栅极偏置2

器件图片

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。