AMP RF GAAS PHEMT 1.4-3.4GHZ 39DBM CERAMIC
GaAs pHEMT MMIC功率放大器，1.4-3.4GHz，P1dB 39dBm，FM陶瓷封装，RoHS合规。规格书核对
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规格书核对参数
18 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 封装 | FM (Ceramic package with gold plated copper carrier) | |
| RoHS | Compliant | |
| 工作频率范围 | 1.4 to 3.4GHz | |
| 1dB压缩点输出功率 | Min 36.5dBm, Typ 38.5dBm (Vdd=+12V, Vgs=-0.9V, Ta=25°C) | |
| 饱和输出功率 | Typ 39.0dBm (Vdd=+12V, Vgs=-0.9V, Ta=25°C) | |
| 小信号增益 | Min 18dB, Typ 20.5dB (Vdd=+12V, Vgs=-0.9V, Ta=25°C) |
全部参数（9 项）
| 电源 | |
|---|---|
| Drain source voltage | 14V |
| 交流 / 直流特性 | |
| Frequency | 1.4 to 3.4GHz |
| Small Signal Gain | > 20dB |
| 环境与封装 | |
| Channel temperature | 175°C |
| Continuous dissipation at room temperature | 25W |
| Package | Ceramic |
| Storage temperature | -55°C to +135°C |
| 其他 | |
| Efficiency @ P1dB | > 40% |
| P1dB | 39dBm |
引脚与封装
PIN LAYOUT
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | Vdd1 (电源输入) | ||
| 2 | NC | (空脚) | |
| 3 | RF | in (射频输入) | |
| 4 | NC | (空脚) | |
| 5 | Vgs1 (栅极偏置1) | ||
| 6 | Vgs2 (栅极偏置2) | ||
| 7 | RF | out & Vdd2 (射频输出及电源2) | |
| 8 | RF | out & Vdd2 (射频输出及电源2) | |
| 9 | RF | out & Vdd2 (射频输出及电源2) | |
| 10 | Vgs2 (栅极偏置2) |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。