AP20GT60SW

问 AI FAE

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

电源
IC(100℃)-最大集电极电流20A
Ic(100℃)-集电极直流电流20A
IC(25℃)-最大集电极电流40A
Ic(25℃)-集电极直流电流40A
Icm-集电极峰值电流160A
ICM-集电极峰值电流160A
Ifm-二极管正向峰值电流40A
IFM-二极管正向峰值电流40A
PD(25℃)-最大允许功耗125W
Vce(sat)-集射极导通饱和电压1.8V
Vces-集射极阻断电压600V
VCES-集射极阻断电压600V
环境与封装
封装类型1TO3P
其他
Eoff-关断损耗能量0.9mJ
Eon-开通损耗能量0.3mJ
Pd-功率耗散125W
Qg-栅极充电电荷100nC
Qg-栅极电荷100nC
tf-下降时间190ns
Tf-开关关断时间190ns
VCE(sat)-集射级饱和压降1.8V
Vf-二极管导通压降1.65V
VF-二极管导通压降1.65V
Vges-门极发射极耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置串联二极管0
引脚数量13
软开关0
集成ESD二极管0
集成串联二极管0

技术资料

该型号暂未收录资料。