N和P沟道增强型MOSFET,低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏,无铅且符合RoHS标准

查看国产替代问 AI FAE
沟道N + P
耐压30 V
连续漏极电流3.3 ~ 4.6 A
导通电阻83 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N + P
耐压30 V
连续漏极电流3.3 ~ 4.6 A
导通电阻83 mΩ最大 · 10V,10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.3A;4.6A
其他
导通电阻(RDS(on))83mΩ@10V;34mΩ@10V
数量1个N沟道+1个P沟道

技术资料

该型号暂未收录资料。