P沟道增强型MOSFET,电流:-30A,耐压:-20V

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流30 A
导通电阻20 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流30 A
导通电阻20 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)30A
其他
导通电阻(RDS(on))20mΩ@4.5V
数量1个P沟道

技术资料