P沟道增强型MOSFET,电流:3.3A,耐压:60V

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流3.3 A
导通电阻185 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流3.3 A
导通电阻185 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3.3A
其他
导通电阻(RDS(on))185mΩ@10V
数量1个P沟道

技术资料