AP4407GP-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款功率MOSFET，采用了Trench技术，具有优良的性能和稳定性。适用于各种功率电路和模块，能够在高压和高电流下稳定工作。TO220；P—Channel沟道,-30V；-70A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流70 A
导通电阻11 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流70 A
导通电阻11 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 70A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |