AP4800AGM-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流12 A
导通电阻14 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流12 A
导通电阻14 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,10A |
| 数量 | 1个N沟道 |
广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,10A |
| 数量 | 1个N沟道 |