AP9928GEM-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOP8；2个N—Channel沟道,20V；7.1A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.6~1.5V；
耐压20 V
连续漏极电流7.1 A
导通电阻26 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
耐压20 V
连续漏极电流7.1 A
导通电阻26 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@2.5V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |