APL602J

APL602J

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单SOT-227-4

MOSFET N-CH 600V 43A ISOTOP

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流43 A
导通电阻125 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流43 A
导通电阻125 mΩ最大 · 21.5A
阈值电压4 V最大 · 2.5mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Power Dissipation (Max)565W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageISOTOP®
其他
Base Product NumberAPL602
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9000 pF @ 25 V
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 21.5A, 12V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

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