APT6038SLLG

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-268-3

MOSFET N-CH 600V 17A D3PAK

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沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流17 A
导通电阻380 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流17 A
导通电阻380 mΩ最大 · 8.5A
阈值电压5 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
PackageTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Supplier Device PackageD3 [S]
其他
Base Product NumberAPT6038
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1850 pF @ 25 V
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 8.5A, 10V
SeriesPOWER MOS 7®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

技术资料

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