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技术参数

电源
N管-ID最大漏极电流3A
N管-Vdss漏源电压20V
N管-Vgsth门槛电压1V
交流 / 直流特性
N管-Rds最大导通阻抗75mΩ
环境与封装
封装类型1SOT23
其他
N管-Qg栅极电荷NnC
Pd-功率耗散0.8mW
P管-Qg栅极电荷NnC
引脚数量16

技术资料

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