ASDsemi(安森德)中国

ASDM20N12ZB-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流12 A
导通电阻12.5 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流12 A
导通电阻12.5 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)12A
其他
导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@4.5V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 491.1 KB · 2026-09-21
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