HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

此款N+N沟道场效应管（MOSFET）具备10A的最大连续漏极电流（ID）与30V的漏源击穿电压（VDSS），适合应用于需要高效能与稳定性的电路设计中。其低至12mΩ的导通电阻（RDS(on)）有助于减少功率损耗，提升整体系统效率。该MOSFET的栅极阈值电压（VGS）为20V，确保了在宽泛的工作电压范围内均能实现可靠的开关操作。适用于精密电子设备中的信号放大、电源管理等关键功能。