HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，适用于多种电子电路设计。其最大漏极电流ID可达11.5A，最高漏源电压VDSS为30V，确保了在高功率应用中的稳定表现。导通电阻RDON仅为10mΩ，有效降低了工作时的能耗。该器件支持的最大栅源电压VGS为20V，提供了宽泛的工作范围，便于与不同类型的控制电路兼容。这款MOSFET适合用于电源管理、信号切换等应用场景，能够满足对效率和性能有较高要求的设计需求。