ASDsemi(安森德)中国

ASDM30N150Q-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压30 V
连续漏极电流150 A
导通电阻1.7 mΩ

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技术参数

耐压30 V
连续漏极电流150 A
导通电阻1.7 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
其他
导通电阻(RDS(on))1.7mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)43W

技术资料

数据手册数据手册 · 596.7 KB · 2026-09-21
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