ASDsemi(安森德)中国

ASDM30N55E-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流55 A
导通电阻4.8 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流55 A
导通电阻4.8 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)55A
其他
导通电阻(RDS(on))4.8mΩ@10V,30A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 349.0 KB · 2026-09-21
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