ASDsemi(安森德)中国

ASDM30N90Q-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压30 V
连续漏极电流90 A
导通电阻4.3 mΩ

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技术参数

耐压30 V
连续漏极电流90 A
导通电阻4.3 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
其他
导通电阻(RDS(on))4.3mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)65W

技术资料

数据手册数据手册 · 356.5 KB · 2026-09-21
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