ASDsemi(安森德)中国

ASDM30P30BE-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流30 A
导通电阻10 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流30 A
导通电阻10 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
其他
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V,10A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.4 MB · 2026-09-21
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