ASDsemi(安森德)中国

ASDM60N50KQ-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻9 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻9 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
其他
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)62.5W

技术资料

数据手册数据手册 · 640.9 KB · 2026-09-21
进入资料中心