ASDsemi(安森德)中国

ASDM60P12KQ-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压60 V
连续漏极电流12 A
导通电阻70 mΩ

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技术参数

耐压60 V
连续漏极电流12 A
导通电阻70 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)12A
其他
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W

技术资料

数据手册数据手册 · 855.5 KB · 2026-09-21
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