ASDsemi(安森德)中国

ASDM60R042NQ-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压60 V
连续漏极电流116 A
导通电阻5.2 mΩ

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技术参数

耐压60 V
连续漏极电流116 A
导通电阻5.2 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)116A
其他
导通电阻(RDS(on))5.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)113W

技术资料

数据手册数据手册 · 486.8 KB · 2026-09-21
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