BAS16HT1G

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

onsemi BAS16HT1G 是一款 SOD-323 封装的开关二极管，反向耐压 100V，峰值正向电流 200mA，工作温度 -55 至 150°C，符合 RoHS 和无卤要求。规格书核对

反向耐压100 V

平均整流电流200 mA

正向压降715 mV

类型开关二极管

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反向耐压100 V

平均整流电流200 mA

正向压降715 mV最大 · $I_F = 1.0 mAdc$，$I_F = 10 mAdc$，$I_F = 50 mAdc$，$I_F = 150 mAdc$

类型开关二极管

19 项

参数	值和测试条件	出处
反向耐压	100 V
平均整流电流	200 mA
正向压降	Max 715 mV @ $I_F = 1.0 mAdc$; Max 855 mV @ $I_F = 10 mAdc$; Max 1000 mV @ $I_F = 50 mAdc$; Max 1250 mV @ $I_F = 150 mAdc$
类型	Switching Diode
封装	SOD-323(Pb-Free)
工作温度	-55 to 150 °C
等级	AEC-Q101 Qualified (S Prefix)
RoHS	Yes
无卤	Yes
峰值正向浪涌电流	1.8 A @ 60 Hz
重复峰值正向电流	1.0 A
反向漏电流	Max 1.0 μA @ $V_R = 100 Vdc$; Max 50 μA @ $V_R = 75 Vdc, T_J = 150°C$; Max 30 μA @ $V_R = 25 Vdc, T_J = 150°C$
反向击穿电压	Min 100 V @ $I_{BR} = 100 μAdc$
二极管电容	Max 2.0 pF @ $V_R = 0, f = 1.0 MHz$
反向恢复时间	Max 6.0 ns @ $I_F = I_R = 10 mAdc, R_L = 50 Ω$
存储电荷	Max 45 pC @ $I_F = 10 mAdc$ to $V_R = 5.0 Vdc, R_L = 500 Ω$
总耗散功率	Max 200 mW @ $T_A = 25°C$ (FR-5 Board)
结到环境热阻	Max 635 °C/W
ESD 等级	Human Body Model: Class 3A; Machine Model: Class M4; Charged Device Model: Class C3

全部参数（17 项）展开收起

电源
Current - Average Rectified (Io)	200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	1 µA @ 100 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25 V @ 150 mA
环境与封装
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature - Junction	-55°C~150°C
Package	Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case	SC-76, SOD-323
Supplier Device Package	SOD-323
其他
Base Product Number	BAS16
Capacitance @ Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz
Diode Type	Standard
Mfr	onsemi
Product Status	Active
Reverse Recovery Time (trr)	6 ns
Series	-
Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。