Renesas Electronics Corporation日本

BB503C

RF FET，MOSFET
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技术参数

电源
ID-最大漏极电流0.02A
VDSS-最大漏源电压6V
交流 / 直流特性
功率增益17dB
最小射频工作频率NMHZ
其他
Pd-功率耗散0.1W

技术资料

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