BL18N20HD

BL18N20HD

在产单 FET,MOSFET

200V, N Channel MOSFETs

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

电源
最大开启电压 VGS(th) (V)4
最大栅极漏电流 IGSS (nA)±0.1
最大栅源电压 VGS (V)±30
最大漏极电流 ID (A)18
沟道极性 Channel PolarityN
漏源击穿电压 VDSS (V)200
环境与封装
REACH 合规YES
RoHS 合规YES
封装 PackageTO-252
其他
AEC-Q 车规认证NO
典型导通电阻 RDS(on)160
出口管制编码 ECCNEAR99
无卤 Halide-freeYES
无铅 Pb-freeYES
最低结温 Tj min (℃)-55
最大导通电阻 RDS(on)180
最大耗散功率 PD (W)100
最高结温 Tj max (℃)150
生命周期 Marketing StatusActive
结构 ConfigurationSingle

器件图片

技术资料