BL(上海贝岭)中国

BLM12P03-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个P沟道 耐压:30V 电流:20A

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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流24 A
导通电阻15 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流24 A
导通电阻15 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)24A
其他
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 11.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 5.7 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 598.6 KB · 2026-09-21
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