BORN(伯恩半导体)中国

BMS2302

晶体管 - FET，MOSFET - 单

2.1A 20V 59mΩ NMOS

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流2.1 A
导通电阻115 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流2.1 A
导通电阻115 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.1A
其他
导通电阻(RDS(on))115mΩ@2.5V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 696.0 KB · 2026-09-21
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