BSC0804LS
Infineon Technologies德国

BSC0804LS

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流40 A
导通电阻9.6 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流40 A
导通电阻9.6 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)40A
其他
导通电阻(RDS(on))9.6mΩ@10V,20A
数量1个N沟道

器件图片

BSC0804LS实物照片 · 产品库

技术资料

数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21宣传资料宣传资料 · 212.8 KB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 127.9 KB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 100.2 KB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 100.2 KB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 93.0 KB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 93.0 KB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 24.3 KB · 2026-09-22
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