BSO150N03MD G-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单特性：Trench Power MOSFET。 100% Rg Tested。 100% UIS Tested。 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC。应用：Notebook System Power。 Low Current DC/DC
耐压30 V
连续漏极电流8.5 A
导通电阻20 mΩ
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耐压30 V
连续漏极电流8.5 A
导通电阻20 mΩ最大 · 4.5V，10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V；16mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |