BSZ033NE2LS5-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道；20V；100A；RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=0.6V；采用Trench技术；
耐压20 V
连续漏极电流100 A
导通电阻2.5 mΩ
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耐压20 V
连续漏极电流100 A
导通电阻2.5 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@2.5V |
| 耗散功率(Pd) | 250W |