CBB167

CBB167

在产薄膜电容器

IGBT吸收电容器(轴向),吸收电容器,金属化薄膜电容器

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技术参数

电源
标称电压范围(V)850~1600V
环境与封装
工作温度范围(℃)-40 ~ +85℃
其他
品类金属化薄膜电容器
引出方式Lead引线式
标称电容范围0.25~3.5µF
特性IGBT吸收电容器(轴向)
电容容差(%)±5/±10
类型吸收电容器
耐负荷寿命100000h

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技术资料